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2SC3841-T64-A

产品描述UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小90KB,共8页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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2SC3841-T64-A概述

UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-3

2SC3841-T64-A规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.03 A
基于收集器的最大容量1.5 pF
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e6
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN BISMUTH
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)4000 MHz
Base Number Matches1

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DATA SHEET
DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR
2SC3841
UHF OSCILLATOR AND UHF MIXER
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
MINI MOLD
DESCRIPTION
The 2SC3841 is an NPN silicon epitaxial transistor intended for use as
UHF oscillators and a UHF mixer in a tuner of a TV receiver.
The device features stable oscillation and small frequency drift against
any change of the supply voltage and the ambient temperature.
It is designed for use in small type equipments especially recommendd
for Hybried Integrated Circuit and other applications.
PACKAGE DIMENSIONS
(Units: mm)
2.8±0.2
0.4
−0.05
+0.1
1.5
0.65
−0.15
+0.1
0.95
0.95
FEATURES
• High Gain Bandwidth Procuct; f
T
= 4.0 GHz TYP.
• Low Collector to Base Time Constant; C
C

r
b’b
= 4.0 ps TYP.
• Low Output Capacitance; C
ob
= 1.5 pF MAX.
2.9±0.2
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25

C)
Maximum Voltages and Current
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation
Maximum Power Temperutures
Junction Temperature
Storage Temperature
0.3
Marking
P
T
T
j
T
stg
200
150

55 to +150
mW

C

C
PIN CONNECTIONS
1. Emitter
2. Base
3. Collector
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25

C)
CHARACTERISTIC
Collector Cutoff Current
DC Current Gain
Collector Saturation Voltage
Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector to Base Time Constatnt
SYMBOL
I
CBO
h
FE
V
CE(sat)
f
T
C
ob
C
C

r
b’b
2.5
40
100
0.09
4.0
0.85
4.0
1.5
10.0
MIN.
TYP.
MAX.
0.1
200
0.5
V
GHz
pF
ps
UNIT
TEST CONDITIONS
V
CB
= 10 V, I
E
= 0
V
CE
= 10 V, I
C
= 5.0 mA
I
C
= 10 mA, I
B
= 1.0 mA
V
CE
= 10 V, I
E
=

5.0 mA
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
V
CE
= 10 V, I
E
=

5.0 mA, f = 31.9 MHz

A
h
FE
Classification
Class
Marking
h
FE
T62/P *
T62
40 to 80
T63/Q *
T63
60 to 120
T64/R *
T64
100 to 200
* Old Specification / New Specification
Document No. P10362EJ1V1DS00 (1st edition)
Date Published March 1997 N
Printed in Japan
0 to 0.1
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
25
12
3
30
V
V
V
mA
1.1 to 1.4
©
0.16
−0.06
+0.1
0.4
−0.05
+0.1
1
3
1986

2SC3841-T64-A相似产品对比

2SC3841-T64-A 2SC3841-T62-A 2SC3841-R-A
描述 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-3 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-3 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-3
是否Rohs认证 符合 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.03 A 0.03 A 0.03 A
基于收集器的最大容量 1.5 pF 1.5 pF 1.5 pF
集电极-发射极最大电压 12 V 12 V 12 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e6 e6 e6
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子面层 TIN BISMUTH TIN BISMUTH TIN BISMUTH
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 4000 MHz 4000 MHz 4000 MHz
Base Number Matches 1 1 1
是否无铅 不含铅 不含铅 -
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