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2SB1431-M

产品描述8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小251KB,共8页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SB1431-M概述

8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

2SB1431-M规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)2000
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)80 MHz
Base Number Matches1

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To our customers,
Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1
st
, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology
Corporation, and Renesas
Electronics Corporation
took over all the business of both
companies.
Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid
Renesas
Electronics document. We appreciate your understanding.
Renesas Electronics website: http://www.renesas.com
April 1
st
, 2010
Renesas Electronics Corporation
Issued by:
Renesas Electronics Corporation
(http://www.renesas.com)
Send any inquiries to http://www.renesas.com/inquiry.

2SB1431-M相似产品对比

2SB1431-M 2SB1431-AZ 2SB1431-L 2SB1431-K
描述 8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR 2SB1431-AZ 8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR 8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 8 A 8 A 8 A 8 A
集电极-发射极最大电压 100 V 100 V 100 V 100 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 2000 500 3000 5000
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 80 MHz 80 MHz 80 MHz 80 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1
是否无铅 含铅 - 含铅 含铅
JESD-609代码 e0 - e0 e0
最大功率耗散 (Abs) 25 W - 25 W 25 W
端子面层 TIN LEAD - TIN LEAD TIN LEAD
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