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2SB1217-M-AZ

产品描述3A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小192KB,共3页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SB1217-M-AZ概述

3A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

2SB1217-M-AZ规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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