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2SA1330O6-T1B

产品描述100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小113KB,共3页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SA1330O6-T1B概述

100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN

2SA1330O6-T1B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SC-59
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压200 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)135
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)120 MHz
Base Number Matches1

 
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