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2SB1357T114/E: 产品描述Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, HRT, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小321KB，共5页; 制造商ROHM(罗姆半导体); 官网地址https://www.rohm.com/; 标准

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2SB1357T114/E概述

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, HRT, 3 PIN

2SB1357T114/E规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	3 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	100
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	1.8 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	70 MHz
VCEsat-Max	1 V
Base Number Matches	1

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Appendix1-Rev1.0

2SB1357T114/E相似产品对比

	2SB1357T114/E	2SB1357T114E	2SB1357T114/F	2SB1357T114F	2SB1357T114D	2SB1357T114/D
描述	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, HRT, 3 PIN	3A, 50V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, HRT, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, HRT, 3 PIN	3A, 50V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, HRT, 3 PIN	3A, 50V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, HRT, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, HRT, 3 PIN
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	HRT, 3 PIN	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3	3	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknow	unknow	compli	compli	compli	compli
最大集电极电流 (IC)	3 A	3 A	3 A	3 A	3 A	3 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	100	100	160	160	60	60
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	1.8 W	1.8 W	1.8 W	1.8 W	1.8 W	1.8 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	70 MHz	70 MHz	70 MHz	70 MHz	70 MHz	70 MHz
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1

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