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BZV55-F8V2

产品描述Zener Diode, 8.2V V(Z), 3%, Silicon, Unidirectional,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小294KB,共7页
制造商General Instrument Corp
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BZV55-F8V2概述

Zener Diode, 8.2V V(Z), 3%, Silicon, Unidirectional,

BZV55-F8V2规格参数

参数名称属性值
厂商名称General Instrument Corp
包装说明O-LELF-R2
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
标称参考电压8.2 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
最大电压容差3%
工作测试电流5 mA

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NEW PRODUCT
NEW PRODUCT
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BZV55 SERIES
ZENER DIODES
Mini-MELF
FEATURES
Silicon Planar Power Zener Diodes
.063 (1.6)
.055 (1.4)
Cathode Mark
For use as low voltage stabilizer or
voltage reference.
The Zener voltages are graded according to the
international E 24 standard. Higher Zener voltages
and 1% tolerance available on request.
Diodes available in these tolerance series:
±
2% BZV55-B,
±
3% BZV55-F,
±
5% BZV55-C.
MECHANICAL DATA
Case:
Mini-MELF Glass Case (SOD-80)
Weight:
approx. 0.05 g
Cathode band color:
Blue
.142 (3.6)
.134 (3.4)
.019 (0.48)
.011 (0.28)
Dimensions are in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
SYMBOL
VALUE
UNIT
Zener Current see Table “Characteristics”
Power Dissipation at T
flange
= 50°C
Power Dissipation at T
A
= 50°C
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Continuous Forward Current
Peak reverse power disipation (non-repetitive) tp=100µs
P
tot
P
tot
T
j
T
S
I
F
P
ZSM
500
400
(1)
mW
mW
°C
°C
mA
W
–65 to +200
–65 to +200
250
30
(2)
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Thermal Resistance Junction to Lead
Forward Voltage at I
F
= 10 mA
R
thJA
R
thJL
V
F
0.38
0.9
(1)
K/mW
K/mW
V
0.30
NOTES:
1) Mounted on ceramic substrate 10mm x 10mm x 0.6mm
2) Tj = 150°C
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