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MMBT123S

产品描述1000 mA, 18 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小69KB,共3页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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MMBT123S概述

1000 mA, 18 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

1000 mA, 18 V, NPN, 硅, 小信号晶体管

MMBT123S规格参数

参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性NPN
最大集电极电流1 A
最大集电极发射极电压18 V
加工封装描述GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
中国RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层MATTE TIN
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE
元件数量1
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
晶体管类型GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL
最小直流放大倍数150
额定交叉频率100 MHz

MMBT123S相似产品对比

MMBT123S MMBT123S_2
描述 1000 mA, 18 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 1000 mA, 18 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
端子数量 3 3
晶体管极性 NPN NPN
最大集电极电流 1 A 1 A
最大集电极发射极电压 18 V 18 V
加工封装描述 GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
无铅 Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes
中国RoHS规范 Yes Yes
状态 ACTIVE ACTIVE
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes
端子形式 GULL WING GULL WING
端子涂层 MATTE TIN MATTE TIN
端子位置 DUAL DUAL
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
结构 SINGLE SINGLE
元件数量 1 1
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
晶体管类型 GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL
最小直流放大倍数 150 150
额定交叉频率 100 MHz 100 MHz

 
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