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2SA1759T100

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPT3, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小65KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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2SA1759T100概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPT3, 3 PIN

2SA1759T100规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明MPT3, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH SPEED SWITCHING
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)82
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)12 MHz
Base Number Matches1

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2SA1759
Transistors
High-voltage Switching Transistor
(Camera strobes and Telephone, Power supply)
(−400V,
−0.1A)
2SA1759
Features
1) High breakdown voltage. (BV
CEO
=
−400V)
2) Low saturation voltage,
typically V
CE (sat)
=
−0.2V
at I
C
/ I
B
=
−20mA
/
−2mA.
3) High switching speed, typically tf = 1µs at Ic =100mA.
4) Wide SOA (safe operating area).
5) Complements the 2SC4505.
Dimensions
(Unit : mm)
MPT3
4.5
1.6
0.5
1.5
(1)
(2)
(3)
1.0
2.5
4.0
0.4
0.4
1.5
0.5
1.5
3.0
0.4
(1)Base
(2)Collector
(3)Emitter
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
Limits
−400
−400
−7
−0.1
−0.2
0.5
Unit
V
V
V
A(DC)
A(Pulse)
W
1
2
2
150
−55
to +150
°C
°C
1 Single pulse, Pw=100ms
2 When mounted on a 40
×
40
×
0.7 mm ceramic board.
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Turn-on time
Storage time
Fall time
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
h
FE
f
T
Cob
t
on
t
stg
t
f
Min.
−400
−400
−7
82
Typ.
−0.2
12
13
0.7
1.8
1
Max.
−10
−10
−0.5
−1.5
180
Unit
V
V
V
µA
µA
V
V
MHz
pF
µs
µs
µs
I
C
= −50µA
I
C
= −1mA
I
E
= −50µA
V
CB
= −400V
V
EB
= −6V
I
C
= −20mA,
I
B
= −2mA
I
C
= −20mA,
I
B
= −2mA
V
CE
= −10V
, I
C
= −10mA
V
CE
= −10V
, I
E
=10mA
, f=5MHz
V
CB
= −10V
, I
E
=0A
, f=1MHz
I
C
= −100mA
R
L
=1.5kΩ
I
B1
= −I
B2
= −10mA
V
CC
~
−150V
Conditions
Rev.B
1/3
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