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2SB1316TR

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小117KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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2SB1316TR概述

Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

2SB1316TR规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)1000
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值10 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max1.5 V
Base Number Matches1
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