电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

2SA1727TL/P

产品描述500mA, 400V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CPT3, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小243KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SA1727TL/P概述

500mA, 400V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CPT3, 3 PIN

2SA1727TL/P规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codecompli
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)82
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值10 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN COPPER
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)12 MHz
VCEsat-Max1 V
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
2SA1812 / 2SA1727 / 2SA1776
Transistors
High-voltage Switching Transistor
( 400V, 0.5A)
2SA1812 / 2SA1727 / 2SA1776
Features
1) High breakdown voltage, BV
CEO
= 400V.
2) Low saturation voltage, typically V
CE (sat)
= 0.3V at I
C
/ I
B
= 100mA / 10mA.
3) High switching speed, typically tf : 1 s at I
C
= 100mA.
4) Wide SOA (safe operating area).
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
2SA1812
Collector power
dissipation
2SA1727
2SA1776
Junction temperature
Storage temperature
Tj
Tstg
P
C
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Limits
400
400
7
0.5
1.0
0.5
2
1
10
1
150
55 to
+
150
Unit
V
V
V
A (DC)
A (Pulse)
W
W
W
W (Tc 25
°C
)
W
1
2
3
°C
°C
1 Single pulse 2 When mounted on a 40 40 0.7mm ceramic board.
3 When t = 1.7mm and the foil collector area on the PC board is 1cm
2
or greater.
Packaging specifications and h
FE
Type
Package
h
FE
Marking
Code
Basic ordering unit (pieces)
Denotes
h
FE
2SA1812
MPT3
PQ
AJ
T100
3000
2SA1727
CPT3
PQ
TL
3000
2SA1776
ATV
PQ
TV2
2500
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current tranfer ratio
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Output capacitance
Turn-on time
Storage time
Fall time
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
Cob
t
on
t
stg
t
f
12
18
0.6
2.7
1
82
150
Min.
400
400
7
10
10
270
1
1.2
Typ.
Max.
Unit
V
V
V
A
A
V
V
MHz
pF
s
s
s
I
C
I
C
I
E
V
CB
V
EB
V
CE
I
C
/I
B
I
C
/I
B
V
CB
V
CE
50 A
1mA
50 A
400V
6V
5V , I
C
50mA
100mA / 10mA
100mA / 10mA
5V , I
E
10V , I
E
50mA , f
0A , f
5MHz
1MHz
Conditions
I
C
100mA, R
L
1.5k
I
B1
I
B2
10mA
V
CC
to
150V
Rev.A
1/3

2SA1727TL/P相似产品对比

2SA1727TL/P 2SA1776TV2/P 2SA1727TL/Q 2SA1776TV2/Q
描述 500mA, 400V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CPT3, 3 PIN 500mA, 400V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ATV, 3 PIN 500mA, 400V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CPT3, 3 PIN 500mA, 400V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ATV, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3 CPT3, 3 PIN IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 3 3 3
Reach Compliance Code compli compli compli compli
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 400 V 400 V 400 V 400 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 82 82 120 120
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e2 e1 e2 e1
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 3 2 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO YES NO
端子面层 TIN COPPER TIN SILVER COPPER TIN COPPER TIN SILVER COPPER
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 10 10
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 12 MHz 12 MHz 12 MHz 12 MHz
VCEsat-Max 1 V 1 V 1 V 1 V
Base Number Matches 1 1 1 1
STM32 中断向量表问题?
我用的编译器 是IAR FOR ARM 。我用的芯片是STM32 大概是这样的。 启动代码就改了入口函数。 Reset_Handler LDR R0, =SystemInit ;BLX R0 LDR R0, =m ......
chenfengjie90 stm32/stm8
毕业设计的英文翻译
:) :) :) :) :) :)...
thf186 单片机
【晒样片】+免费申请五种TI样片
从2012年开始就开始申请TI样片了,所以说尽管TI在最近把网页改版了,也能轻车熟路地申请到了所需的样片。废话少说,直接分享经验。申请TI的样片是不需要花钱的,包括不用付顺丰的邮费,TI办事速 ......
男儿当自强 TI技术论坛
问个问题:关于ucos-ii移植时工程创建的问题
问个问题:我想先编译源代码,源代码里面没有main(),现在编译能通过,但是链接的时候出现错误,是不是在移植的时候必须有main函数才能创建一个工程? ...
ChinaLingBo 实时操作系统RTOS
ADV7181C驱动问题
平台为海思3512,之前使用的AD转换芯片为cx25837,现在需换成ADV7181,具备高清功能,需要做ADC7181的驱动。 现在一个问题是:之前的cx25837是8路控制信号,而ADC7181是16路信号,请问有谁做过 ......
280440616 嵌入式系统
无源晶振使用指南及注意事项
无源晶振使用的场合特别多,大部分电路中都会使用到,这也是工程师在做电路设计中,需要了解了注意的一些问题。首先我们需要了解村田无源晶振有哪些基本特性,其次,我们需要知道村田无源晶振在 ......
Jacktang 模拟与混合信号

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2361  1278  790  59  1004  22  35  13  34  48 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved