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AT25080B-XHL-B

产品描述1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共26页
制造商Atmel (Microchip)
标准
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AT25080B-XHL-B在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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AT25080B-XHL-B概述

1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8

1K × 8 总线串行电可擦除只读存储器, PDSO8

AT25080B-XHL-B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Atmel (Microchip)
零件包装代码TSSOP
包装说明TSSOP, TSSOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)5 MHz
数据保留时间-最小值100
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.4 mm
内存密度8192 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量8
字数1024 words
字数代码1000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)250
电源2/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.000006 A
最大压摆率0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度3 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE

AT25080B-XHL-B相似产品对比

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描述 1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8 8 8 8
组织 1KX8 1K X 8 1KX8 1KX8 1K X 8 1K X 8 1KX8 1KX8
表面贴装 YES Yes YES YES Yes Yes YES YES
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING NO LEAD NO LEAD BALL NO LEAD NO LEAD NO LEAD GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL BOTTOM DUAL DUAL DUAL DUAL
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 - - 符合 符合
零件包装代码 TSSOP - SON BGA - - DFN SOIC
包装说明 TSSOP, TSSOP8,.25 - HVSON, SOLCC8,.11,20 VFBGA, BGA8,2X4,40/20 - - VSON, SOLCC8,.08,16 SOP, SOP8,.25
针数 8 - 8 8 - - 8 8
Reach Compliance Code compli - compli compli - - compli compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 - - EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) 5 MHz - 5 MHz 5 MHz - - 5 MHz 5 MHz
数据保留时间-最小值 100 - 100 100 - - 100 100
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles - 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles - - 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 - R-PDSO-N8 R-PBGA-B8 - - R-XDSO-N8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e4 - e4 e1 - - e4 e4
长度 4.4 mm - 3 mm 2 mm - - 2.2 mm 4.925 mm
内存密度 8192 bi - 8192 bi 8192 bi - - 8192 bi 8192 bi
内存集成电路类型 EEPROM - EEPROM EEPROM - - EEPROM EEPROM
字数 1024 words - 1024 words 1024 words - - 1024 words 1024 words
字数代码 1000 - 1000 1000 - - 1000 1000
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C - 85 °C 85 °C - - 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C -40 °C - - -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - - UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP - HVSON VFBGA - - VSON SOP
封装等效代码 TSSOP8,.25 - SOLCC8,.11,20 BGA8,2X4,40/20 - - SOLCC8,.08,16 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR - - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH - SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH - - SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL - SERIAL SERIAL - - SERIAL SERIAL
电源 2/5 V - 2/5 V 2/5 V - - 2/5 V 2/5 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified - - Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm - 0.6 mm 0.85 mm - - 0.4 mm 1.75 mm
串行总线类型 SPI - SPI SPI - - SPI SPI
最大压摆率 0.01 mA - 0.01 mA 0.01 mA - - 0.01 mA 0.01 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - 5.5 V 5.5 V - - 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.8 V - 1.8 V 1.8 V - - 1.8 V 1.8 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V - 2.5 V 2.5 V - - 2.5 V 2.5 V
技术 CMOS - CMOS CMOS - - CMOS CMOS
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) - NICKEL PALLADIUM GOLD TIN SILVER COPPER - - NICKEL PALLADIUM GOLD Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子节距 0.65 mm - 0.5 mm 0.5 mm - - 0.4 mm 1.27 mm
宽度 3 mm - 2 mm 1.5 mm - - 1.8 mm 3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms - 5 ms 5 ms - - 5 ms 5 ms
写保护 HARDWARE/SOFTWARE - HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE - - HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE

 
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