IRF9612-003PBF,IRF9612-003PBF pdf中文资料,IRF9612-003PBF引脚图,IRF9612-003PBF电路-Datasheet-电子工程世界

IRF9612-003PBF: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 200V, 4.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小41KB，共1页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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IRF9612-003PBF概述

Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 200V, 4.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (ID)	1.5 A
最大漏源导通电阻	4.5 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	250
极性/信道类型	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	6 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管元件材料	SILICON

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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