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2SC3588-ZL-E1

产品描述TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-252VAR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小739KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SC3588-ZL-E1概述

TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-252VAR

2SC3588-ZL-E1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.5 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)30
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)2 W
表面贴装YES
Base Number Matches1

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DATA SHEET
SILICON POWER TRANSISTOR
2SC3588-Z
NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR
DESCRIPTION
The 2SC3588-Z is designed for High Voltage Switching, especially in
Hybrid Integrated Circuits.
<R>
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
6.5 ±0.2
5.0 ±0.2
4.4 ±0.2
Note
5.6 ±0.3
9.5 ±0.5
1.5
−0.1
+0.2
FEATURES
• Complement to 2SA1400-Z
5.5 ±0.2
• High Voltage V
CEO
= 400 V
1 2 3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25°C)
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current (pulse)
Note 1
Note 2
0.5 ±0.1
V
V
V
A
A
W
°C
°C
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C(DC)
I
C(pulse)
P
T
T
j
T
stg
500
400
7
0.5
1.0
2.0
150
−55
to +150
2.3 ±0.3
2.3 ±0.3
0.15 ±0.15
1.
2.
3.
4.
Base
Collector
Emitter
Collector Fin
Total Power Dissipation (T
A
= 25°C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Note
The depth of notch at the top of the fin is
from 0 to 0.2 mm.
Notes 1.
PW
10 ms, Duty Cycle
50%
2.
When mounted on ceramic substrate of 7.5 cm
2
× 0.7 mm
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics
sales representative for availability and additional information.
Document No. D17289EJ4V0DS00 (4th edition)
(Previous No. TC-1663A)
Date Published July 2006 NS CP(K)
Printed in Japan
The mark <R> shows major revised points.
The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.
1.0 ±0.5
0.4 MIN.
0.5 TYP.
2.5 ±0.5
4
2.3 ±0.2
0.5 ±0.1
Note
0.5 ±0.1
1985, 2006

2SC3588-ZL-E1相似产品对比

2SC3588-ZL-E1 2SC3588-ZK-E1 2SC3588-ZM-E1 2SC3588-ZM-E2
描述 TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-252VAR TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-252VAR TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-252VAR TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-252VAR
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
配置 Single Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 30 40 20 20
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W 2 W 2 W
表面贴装 YES YES YES YES
Base Number Matches 1 1 1 1
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