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TMS418169P-70DZ

产品描述1MX16 EDO DRAM, 70ns, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42
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文件大小389KB,共26页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

TMS418169P-70DZ概述

1MX16 EDO DRAM, 70ns, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42

TMS418169P-70DZ规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ42,.44
针数42
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间70 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J42
长度27.305 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量42
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ42,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度3.76 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.0005 A
最大压摆率0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm

TMS418169P-70DZ相似产品对比

TMS418169P-70DZ TMS418169-60DZR TMS418169P-60DZ TMS418169P-80DZ TMS418169-80DZ
描述 1MX16 EDO DRAM, 70ns, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42 1MX16 EDO DRAM, 60ns, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42 1MX16 EDO DRAM, 60ns, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42 1MX16 EDO DRAM, 80ns, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42 1MX16 EDO DRAM, 80ns, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42
零件包装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
包装说明 SOJ, SOJ42,.44 SOJ, SOJ, SOJ42,.44 SOJ, SOJ42,.44 SOJ, SOJ42,.44
针数 42 42 42 42 42
Reach Compliance Code not_compliant unknown not_compliant not_compliant _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 70 ns 60 ns 60 ns 80 ns 80 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-J42 R-PDSO-J42 R-PDSO-J42 R-PDSO-J42 R-PDSO-J42
长度 27.305 mm 27.305 mm 27.305 mm 27.305 mm 27.305 mm
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bi
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1
端子数量 42 42 42 42 42
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX16 1MX16 1MX16 1MX16 1MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024 1024 1024
座面最大高度 3.76 mm 3.76 mm 3.76 mm 3.76 mm 3.76 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) - Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
I/O 类型 COMMON - COMMON COMMON COMMON
封装等效代码 SOJ42,.44 - SOJ42,.44 SOJ42,.44 SOJ42,.44
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V - 5 V 5 V 5 V
自我刷新 YES - YES YES NO
最大待机电流 0.0005 A - 0.0005 A 0.0005 A 0.001 A
最大压摆率 0.18 mA - 0.19 mA 0.17 mA 0.17 mA
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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