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SJPB-L4

产品描述3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小231KB,共5页
制造商SANKEN
官网地址http://www.sanken-ele.co.jp/en/
标准
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SJPB-L4概述

3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

SJPB-L4规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SANKEN
包装说明SJP, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流60 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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http://www.sanken-ele.co.jp
SANKEN ELECTRIC
SJPB-L4
Schottky Barrier Rectifier
May. 2016
General Description
SJPB-L4 is a Schottky Barrier Diode, and has achieved low
leakage current and low VF by selecting the best barrier metal.
Package
SJP
(2)
(1)
(2)
(1)
Applications
½DC-DC
converters
½AC
adapter
½High
frequency rectification circuit
(1) Cathode
(2) Anode
Not to Scale
Key Specifications
Features
½Super-high
speed & low noise switching.
½Low
forward voltage drop.
Item
V
RM
V
F
I
F(AV)
Rating
40
0.55
3.0
Unit
V
V
A
I
F
=3.0A
Conditions
Typical Characteristics
SJPB-L4 IF-VF Characteristics
100
1.0E-01
SJPB-L4 VR-IR Characteristics
150°C
10
1.0E-02
100°C
1
1.0E-03
IF (A)
150°C
0.1
1.0E-04
100°C
25°C
1.0E-05
IR (A)
0.01
25°C
0.001
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
VF (V)
1
1.0E-06
0
10
20
VR (V)
30
40
The information included herein is believed to be accurate and reliable. However, SANKEN ELECTRIC CO., LTD assumes no
responsibility for its use ; nor for any infringements of patents or other rights of third parties that may result from its use.
Copy Right: SANKEN ELECTRIC CO.,LTD.
Page 1

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描述 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE DIODE SCHOTTKY SMD
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