110A, 60V, 0.0037ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, MP-25ZP, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | D2PAK |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 397 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 110 A |
最大漏极电流 (ID) | 110 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0037 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-263AB |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 213 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 440 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
2SK3812-ZP | 2SK3812-ZP-E1-AZ | 2SK3812(0)-ZP-E1-AZ | 2SK3812(0)-ZP-E1-AY | 2SK3812-ZP-AZ | 2SK3812-ZP-E1-AY | |
---|---|---|---|---|---|---|
描述 | 110A, 60V, 0.0037ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, MP-25ZP, 3 PIN | Nch Single Power MOSFET 60V 110A 2.8mohm MP-25ZP/TO-263 | Nch Single Power MOSFET 60V 110A 2.8mohm MP-25ZP/TO-263 | Nch Single Power MOSFET 60V 110A 2.8mohm MP-25ZP/TO-263 | Nch Single Power MOSFET 60V 110A 2.8mohm MP-25ZP/TO-263 | Nch Single Power MOSFET 60V 110A 2.8mohm MP-25ZP/TO-263 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
零件包装代码 | D2PAK | MP-25ZP | MP-25ZP | MP-25ZP | MP-25ZP | MP-25ZP |
针数 | 4 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | compli | compli | compli | compli | compli | compli |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | Single | Single | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 110 A | - | - | 110 A | 110 A | 110 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高工作温度 | 150 °C | - | - | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | - | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 213 W | - | - | 213 W | 213 W | 213 W |
表面贴装 | YES | - | - | YES | YES | YES |
Brand Name | - | Renesas | Renesas | Renesas | Renesas | Renesas |
制造商包装代码 | - | PRSS0004AL-A3 | PRSS0004AL-A3 | PRSS0004AL-A3 | PRSS0004AL-A3 | PRSS0004AL-A3 |
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