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1N5822

产品描述3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小51KB,共2页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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1N5822概述

3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201

3 A, 40 V, 硅, 整流二极管, DO-201

1N5822规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述ROHS COMPLIANT, 塑料 PACKAGE-2
状态ACTIVE
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
工艺SCHOTTKY
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型整流二极管
应用GENERAL PURPOSE
相数1
最大重复峰值反向电压40 V
最大平均正向电流3 A
最大非重复峰值正向电流150 A

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1N5820 - 1N5822
3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
Features
·
·
·
·
·
·
·
Schottky Barrier Chip
Guard Ring Die Construction for
Transient Protection
Low Power Loss, High Efficiency
High Surge Capability
High Current Capability and Low Forward
Voltage Drop
For Use in Low Voltage, High Frequency
Inverters, Free Wheeling, and Polarity
Protection Application
Plastic Material: UL Flammability
Classification Rating 94V-0
A
B
A
C
D
DO-201AD
Dim
A
B
C
D
Min
25.40
7.20
1.20
4.80
Max
¾
9.50
1.30
5.30
Mechanical Data
·
·
·
·
·
·
Case: Molded Plastic
Terminals: Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Cathode Band
Weight: 1.1 grams (approx)
Mounting Position: Any
Marking: Type Number
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
(Note 1)
@ T
L
= 95°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms
single half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)
@ T
L
= 75°C
Forward Voltage (Note 2)
Peak Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Operating and Storage Temperature Range
Notes:
@ I
F
= 3.0A
@ I
F
= 9.4A
@ T
A
= 25°C
@ T
A
= 100°C
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
R
qJA
R
qJL
T
j,
T
STG
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
1N5820
20
14
1N5821
30
21
3.0
80
1N5822
40
28
Unit
V
V
A
A
0.475
0.850
0.500
0.900
2.0
20
40
10
-65 to +125
0.525
0.950
V
mA
°C/W
°C
1. Measured at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.
2. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
3. Thermal resistance from junction to lead vertical P.C.B. mounted, 0.500" (12.7mm) lead length with 2.5 x 2.5" (63.5 x 63.5mm)
copper pad.
DS23003 Rev. 7 - 2
1 of 2
www.diodes.com
1N5820-1N5822
ã
Diodes Incorporated

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