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2SC3668_04

产品描述Power Amplifier Applications Power Switching Applications
文件大小139KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SC3668_04概述

Power Amplifier Applications Power Switching Applications

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2SC3668
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC3668
Power Amplifier Applications
Power Switching Applications
Unit: mm
Low saturation voltage: V
CE (sat)
= 0.5 V (max) (I
C
= 1 A)
High collector power dissipation: P
C
= 1000 mW
High-speed switching: t
stg
= 1.0 µ (typ.)
Complementary to 2SA1428.
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
stg
Rating
50
50
5
2
0.5
1000
150
−55
to 150
Unit
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-7D101A
Weight: 0.2 g (typ.)
1
2004-07-07

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