RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | TT Electronics plc |
Reach Compliance Code | compliant |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 900 V |
最大漏极电流 (ID) | 6.5 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-247AD |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
SRF444 | SRF444R3 | |
---|---|---|
描述 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, |
是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 |
厂商名称 | TT Electronics plc | TT Electronics plc |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 900 V | 900 V |
最大漏极电流 (ID) | 6.5 A | 6.5 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-247AD | TO-247AD |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved