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TMM27512AD-25

产品描述IC 64K X 8 UVPROM, 250 ns, CDIP28, CERDIP-28, Programmable ROM
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文件大小519KB,共13页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TMM27512AD-25概述

IC 64K X 8 UVPROM, 250 ns, CDIP28, CERDIP-28, Programmable ROM

TMM27512AD-25规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码DIP
包装说明WDIP, DIP28,.6
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间250 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-GDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度524288 bit
内存集成电路类型UVPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码WDIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE, WINDOW
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.2 mm
最大压摆率0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术NMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm

TMM27512AD-25相似产品对比

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描述 IC 64K X 8 UVPROM, 250 ns, CDIP28, CERDIP-28, Programmable ROM IC 64K X 8 UVPROM, 250 ns, CDIP28, CERDIP-28, Programmable ROM IC 64K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP28, CERDIP-28, Programmable ROM IC 64K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP28, CERDIP-28, Programmable ROM
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
零件包装代码 DIP DIP DIP DIP
包装说明 WDIP, DIP28,.6 CERDIP-28 WDIP, DIP28,.6 WDIP, DIP28,.6
针数 28 28 28 28
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 250 ns 250 ns 200 ns 200 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-GDIP-T28 R-GDIP-T28 R-GDIP-T28 R-GDIP-T28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
内存密度 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit
内存集成电路类型 UVPROM UVPROM UVPROM UVPROM
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 WDIP WDIP WDIP WDIP
封装等效代码 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE, WINDOW IN-LINE, WINDOW IN-LINE, WINDOW IN-LINE, WINDOW
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 240 240 240 240
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.2 mm 5.2 mm 5.2 mm 5.2 mm
最大压摆率 0.12 mA 0.13 mA 0.12 mA 0.13 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.5 V 5.25 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.5 V 4.75 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 NMOS NMOS NMOS NMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm
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