Power Bipolar Transistor
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 最大集电极电流 (IC) | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 32 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 120 |
| JEDEC-95代码 | TO-252 |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 100 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
| 2SB1182Q | 2SB1182P | 2SB1182R | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Power Bipolar Transistor | Power Bipolar Transistor | Power Bipolar Transistor |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow |
| 最大集电极电流 (IC) | 2 A | 2 A | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 32 V | 32 V | 32 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 120 | 82 | 180 |
| JEDEC-95代码 | TO-252 | TO-252 | TO-252 |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP | PNP |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 100 MHz | 100 MHz | 100 MHz |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
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