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2SK3108

产品描述8A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小229KB,共10页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SK3108概述

8A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN

2SK3108规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)51 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)8 A
最大漏极电流 (ID)8 A
最大漏源导通电阻0.4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)24 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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To our customers,
Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1
st
, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology
Corporation, and Renesas
Electronics Corporation
took over all the business of both
companies.
Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid
Renesas
Electronics document. We appreciate your understanding.
Renesas Electronics website: http://www.renesas.com
April 1
st
, 2010
Renesas Electronics Corporation
Issued by:
Renesas Electronics Corporation
(http://www.renesas.com)
Send any inquiries to http://www.renesas.com/inquiry.

2SK3108相似产品对比

2SK3108 2SK3108-AZ
描述 8A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN 2SK3108-AZ
是否Rohs认证 不符合 符合
零件包装代码 TO-220AB MP-45F
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 51 mJ 51 mJ
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 8 A 8 A
最大漏极电流 (ID) 8 A 8 A
最大漏源导通电阻 0.4 Ω 0.4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 24 A 24 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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晶体管元件材料 SILICON SILICON
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