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2SC3474

产品描述Switching Applications Solenoid Drive Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小174KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SC3474概述

Switching Applications Solenoid Drive Applications

2SC3474规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)500
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)85 MHz
Base Number Matches1

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2SC3474
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC3474
Switching Applications
Solenoid Drive Applications
High DC current gain: h
FE
= 500 (min) (I
C
= 400 mA)
Low saturation voltage: V
CE (sat)
= 0.5 V (max) (I
C
= 300 mA)
Industrial Applications
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Ta = 25°C
Tc = 25°C
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
stg
Rating
80
80
7
2
0.5
1.0
20
150
−55
to 150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-7B1A
Weight: 0.36 g (typ.)
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-7J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
1
2005-02-01

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