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2SC3113

产品描述For Audio Amplifier and Switching Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小139KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SC3113概述

For Audio Amplifier and Switching Applications

2SC3113规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.15 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)600
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1

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2SC3113
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC3113
For Audio Amplifier and Switching Applications
·
·
·
·
High DC current gain
:
h
FE
= 600~3600
High breakdown voltage: V
CEO
= 50 V
High collector current: I
C
= 150 mA (max)
Small package
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
stg
Rating
50
50
5
150
30
200
125
-55~125
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-4E1A
Electrical Characteristics
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
(Note)
V
CE (sat)
f
T
C
ob
NF (1)
Noise figure
NF (2)
Test Condition
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
EB
=
5 V, I
C
=
0
V
CE
=
6 V, I
C
=
2 mA
I
C
=
100 mA, I
B
=
10 mA
V
CE
=
10 V, I
C
=
10 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
V
CE
=
6 V, I
C
=
0.1 mA, f
=
100 Hz,
R
G
=
10 kW
V
CE
=
6 V, I
C
=
0.1 mA, f
=
1 kHz,
R
G
=
10 kW
Weight: 0.13 g (typ.)
Min
¾
¾
600
¾
100
¾
¾
¾
Typ.
¾
¾
¾
0.12
250
3.5
0.5
0.3
Max
0.1
0.1
3600
0.25
¾
¾
¾
Unit
mA
mA
V
MHz
pF
dB
¾
Note: h
FE
classification
A: 600~1800, B: 1200~3600
1
2003-03-25

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