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2SC3266

产品描述Power Amplifier Applications Power Switching Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小89KB,共3页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SC3266概述

Power Amplifier Applications Power Switching Applications

2SC3266规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)75
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.75 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)120 MHz
Base Number Matches1

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2SC3266
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC3266
Power Amplifier Applications
Power Switching Applications
·
·
Low saturation voltage: V
CE (sat)
= 0.5 V (max) (I
C
= 2 A)
Complementary to 2SA1296
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
stg
Rating
20
20
6
2
0.5
750
150
-55~150
Unit
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
TO-92
SC-43
2-5F1B
Electrical Characteristics
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
(BR) CEO
V
(BR) EBO
h
FE (1)
DC current gain
(Note)
h
FE (2)
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
V
CE (sat)
V
BE
f
T
C
ob
Test Condition
V
CB
=
20 V, I
E
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
I
C
=
10 mA, I
B
=
0
I
E
=
0.1 mA, I
C
=
0
V
CE
=
2 V, I
C
=
0.1 A
V
CE
=
2 V, I
C
=
2 A
I
C
=
2 A, I
B
=
0.1 A
V
CE
=
2 V, I
C
=
0.1 A
V
CE
=
2 V, I
C
=
0.5 A
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
Weight: 0.21 g (typ.)
Min
¾
¾
20
6
120
75
¾
¾
¾
¾
Typ.
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
120
30
Max
0.1
0.1
¾
¾
700
¾
0.5
0.85
¾
¾
Unit
mA
mA
V
V
V
V
MHz
pF
Note: h
FE (1)
classification
Y: 120~240, GR: 200~400, BL: 350~700
1
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...
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