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2SC2459_03

产品描述Audio Amplifier Applications
文件大小124KB,共3页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SC2459_03概述

Audio Amplifier Applications

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2SC2459
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC2459
Audio Amplifier Applications
·
·
·
·
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·
High breakdown voltage: V
CEO
= 120 V (max)
High DC current gain: h
FE
= 200~700
Excellent h
FE
linearity: h
FE
(I
C
= 0.1 mA)/h
FE
(I
C
= 2 mA) = 0.95 (typ.)
Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max)
Complementary to 2SA1049.
Small package.
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
stg
Rating
120
120
5
100
20
200
125
-55~125
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-4E1A
Weight: 0.13 g (typ.)
Electrical Characteristics
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Noise figure
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
(Note)
V
CE (sat)
f
T
C
ob
NF
Test Condition
V
CB
=
120 V, I
E
=
0
V
EB
=
5 V, I
C
=
0
V
CE
=
6 V, I
C
=
2 mA
I
C
=
10 mA, I
B
=
1 mA
V
CE
=
6 V, I
C
=
1 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
V
CE
=
6 V, I
C
=
0.1 mA,
f
=
1 kHz, R
G
=
10 kW
Min
¾
¾
200
¾
¾
¾
¾
Typ.
¾
¾
¾
¾
100
3.0
1.0
Max
0.1
0.1
700
0.3
¾
¾
10
V
MHz
pF
dB
Unit
mA
mA
Note: h
FE
classification
GR: 200~400, BL: 350~700
1
2003-03-27

2SC2459_03相似产品对比

2SC2459_03 2SC2459
描述 Audio Amplifier Applications Audio Amplifier Applications

 
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