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2SC2458

产品描述Audio Amplifier Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小175KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SC2458概述

Audio Amplifier Applications

2SC2458规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明2-4E1A, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknow
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.15 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)70
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)80 MHz
Base Number Matches1

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2SC2458
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC2458
Audio Amplifier Applications
·
·
·
·
·
·
High current capability: I
C
= 150 mA (max)
High DC current gain: h
FE
= 70~700
Excellent h
FE
linearity: h
FE
(I
C
= 0.1 mA)/h
FE
(I
C
= 2 mA) = 0.95 (typ.)
Low noise: NF (2) = 1dB (typ.), 10dB (max)
Complementary to 2SA1048.
Small package.
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
stg
Rating
50
50
5
150
50
200
125
-55~125
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-4E1A
Weight: 0.13 g (typ.)
Electrical Characteristics
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Noise figure
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
(Note)
V
CE (sat)
f
T
C
ob
NF
Test Condition
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
EB
=
5 V, I
C
=
0
V
CE
=
6 V, I
C
=
2 mA
I
C
=
100 mA, I
B
=
10 mA
V
CE
=
10 V, I
C
=
1 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
V
CE
=
6 V, I
C
=
0.1 mA, f
=
1 kHz,
R
g
=
10 kW
Min
¾
¾
70
¾
80
¾
¾
Typ.
¾
¾
¾
0.1
¾
2.0
1.0
Max
0.1
0.1
700
0.25
¾
3.5
10
V
MHz
pF
dB
Unit
mA
mA
Note: h
FE
classification
O: 70~140, Y: 120~240, GR: 200~400, BL: 350~700
1
2003-03-27

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