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IDT71421LA55PF

产品描述Dual-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64
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文件大小190KB,共13页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71421LA55PF概述

Dual-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64

IDT71421LA55PF规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64
针数64
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间55 ns
其他特性INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQFP-G64
JESD-609代码e0
长度14 mm
内存密度16384 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量64
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP64,.66SQ,32
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.0015 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度14 mm
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