IDT71342LA20J,IDT71342LA20J pdf中文资料,IDT71342LA20J引脚图,IDT71342LA20J电路-Datasheet-电子工程世界

IDT71342LA20J: 产品描述Dual-Port SRAM, 4KX8, 20ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52; 产品类别存储存储; 文件大小305KB，共14页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT71342LA20J概述

Dual-Port SRAM, 4KX8, 20ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

IDT71342LA20J规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	LCC
包装说明	PLASTIC, LCC-52
针数	52
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	20 ns
其他特性	SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PQCC-J52
JESD-609代码	e0
长度	19.1262 mm
内存密度	32768 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	52
字数	4096 words
字数代码	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC52,.8SQ
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.57 mm
最大待机电流	0.0045 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	19.1262 mm

IDT71342LA20J相似产品对比

	IDT71342LA20J	IDT71342LA20JG	IDT71342LA20JG8	IDT71342LA20PFG8	IDT71342LA20PFG
描述	Dual-Port SRAM, 4KX8, 20ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52	Dual-Port SRAM, 4KX8, 20ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52	Dual-Port SRAM, 4KX8, 20ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52	Dual-Port SRAM, 4KX8, 20ns, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64	Dual-Port SRAM, 4KX8, 20ns, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64
是否无铅	含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	不符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	LCC	LCC	LCC	QFP	QFP
包装说明	PLASTIC, LCC-52	QCCJ,	QCCJ,	LQFP,	LQFP,
针数	52	52	52	64	64
Reach Compliance Code	not_compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns
其他特性	SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP	SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP	SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP	SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP	SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP
JESD-30 代码	S-PQCC-J52	S-PQCC-J52	S-PQCC-J52	S-PQFP-G64	S-PQFP-G64
JESD-609代码	e0	e3	e3	e3	e3
长度	19.1262 mm	19.1262 mm	19.1262 mm	14 mm	14 mm
内存密度	32768 bit	32768 bit	32768 bit	32768 bit	32768 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1
端口数量	2	2	2	2	2
端子数量	52	52	52	64	64
字数	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words
字数代码	4000	4000	4000	4000	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4KX8	4KX8	4KX8	4KX8	4KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	QCCJ	QCCJ	LQFP	LQFP
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	260	260	260	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	4.57 mm	4.57 mm	4.57 mm	1.6 mm	1.6 mm
最小待机电流	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Matte Tin (Sn)	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30
宽度	19.1262 mm	19.1262 mm	19.1262 mm	14 mm	14 mm
湿度敏感等级	3	-	-	3	3
Base Number Matches	-	1	1	1	-

IDT71342LA20J

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IDT71342LA20J规格参数

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