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2SA2034

产品描述High-Voltage Switching Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小180KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SA2034概述

High-Voltage Switching Applications

2SA2034规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SC-64
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)80
JESD-30 代码R-PSSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)2800 ns
Base Number Matches1

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2SA2034
TOSHIBA Transistor
Silicon PNP Triple Diffused Type
2SA2034
High-Voltage Switching Applications
Unit: mm
High voltage
High speed
: V
CBO
=
−400
V
: t
f
= 0.3
μs
(max) (I
C
=
−1.0
A)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector−base voltage
Collector−emitter voltage
Emitter−base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Ta = 25°C
Tc = 25°C
DC
Pulse
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
stg
Rating
−400
−400
−7
−2
−4
−1
1
15
150
−55~150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-7J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
Note1: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
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