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2SA1987

产品描述Power Amplifier Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小125KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SA1987概述

Power Amplifier Applications

2SA1987规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明2-21F1A, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)15 A
集电极-发射极最大电压230 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)35
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值180 W
最大功率耗散 (Abs)180 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)30 MHz
VCEsat-Max3 V
Base Number Matches1

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2SA1987 2SA1987_06
描述 Power Amplifier Applications Power Amplifier Applications
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