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2SA1955F

产品描述General Purpose Amplifier Applications Switching and Muting Switch Application
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小120KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SA1955F概述

General Purpose Amplifier Applications Switching and Muting Switch Application

2SA1955F规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.4 A
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)300
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)130 MHz
Base Number Matches1

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2SA1955F
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
2SA1955F
General Purpose Amplifier Applications
Switching and Muting Switch Application
Low saturation voltage: V
CE (sat)
(1) =
−15
mV (typ.)
@I
C
=
−10
mA/I
B
=
−0.5
mA
Large collector current: I
C
=
−400
mA (max)
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
stg
Rating
−15
−12
−5
−400
−50
100
125
−55~125
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-2HA1A
Marking
Type Name
h
FE
Rank
Weight: 2.3 mg (typ.)
GA
1
2005-01-14
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