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HY5V26FLFP-5I

产品描述Synchronous DRAM, 8MX16, 4.5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54
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文件大小157KB,共12页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
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HY5V26FLFP-5I概述

Synchronous DRAM, 8MX16, 4.5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54

HY5V26FLFP-5I规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA54,9X9,32
针数54
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间4.5 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码S-PBGA-B54
JESD-609代码e1
长度8 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA54,9X9,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度8 mm

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下载PDF文档
128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O
Document Title
4Bank x 2M x 16bits Synchronous DRAM
Revision History
Revision No.
1.0
History
First Version Release
Draft Date
June. 2007
Remark
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for
use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev. 1.0 / June. 2007
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