HYB18TC512160CF-19F,HYB18TC512160CF-19F pdf中文资料,HYB18TC512160CF-19F引脚图,HYB18TC512160CF-19F电路-Datasheet-电子工程世界

HYB18TC512160CF-19F: 产品描述DDR DRAM, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, GREEN, PLASTIC, TFBGA-84; 产品类别存储存储; 文件大小4MB，共62页; 制造商QIMONDA; 标准

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HYB18TC512160CF-19F概述

DDR DRAM, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, GREEN, PLASTIC, TFBGA-84

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	QIMONDA
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA84,9X15,32
针数	84
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.35 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	533 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B84
长度	12.5 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	84
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	32MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA84,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8
最大待机电流	0.009 A
最大压摆率	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	10 mm

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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