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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SC4551-M-AZ
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2SC4551-M-AZ

产品描述10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小141KB，共6页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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2SC4551-M-AZ概述

10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3

2SC4551-M-AZ规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)30 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)140 MHz
Base Number Matches1

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DATA SHEET
SILICON POWER TRANSISTOR
2SC4551
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
FOR HIGH-SPEED SWITCHING
The 2SC4551 is a power transistor developed for high-speed
switching and features low V
CE(sat)
and high h
FE
. This transistor is
ideal for use in drivers such as DC/DC converters and actuators.
In addition, a small resin-molded insulation type package
contributes to high-density mounting and reduction of mounting
cost.
PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)
FEATURES
• High h
FE
and low V
CE(sat)
:
h
FE
≥
100 (V
CE
= 2 V, I
C
= 2 A)
V
CE(sat)
≤
0.3 V (I
C
= 6 A, I
B
= 0.3 A)
• Mold package that does not require an insulating board or
insulation bushing
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)
°
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current (DC)
Collector current (pulse)
Base current (DC)
Total power dissipation
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C(DC)
I
C(pulse)
*
I
B(DC)
P
T
(Tc = 25°C)
P
T
(Ta = 25°C)
T
j
T
stg
Ratings
100
60
7.0
10
20
5.0
30
2.0
150
−55
to +150
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
(OHFWURGH &RQQHFWLRQ
 %DVH
 &ROOHFWRU
 (PLWWHU
* PW
≤
300
µ
s, duty cycle
≤
10%
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
Document No. D15597EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published April 2002 N CP(K)
Printed in Japan
©
2002
1998

2SC4551-M-AZ相似产品对比

2SC4551-M-AZ 2SC4551-L-AZ 2SC4551-K-AZ
描述 10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3 10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3 10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
是否Rohs认证 符合 符合 符合
包装说明 PLASTIC PACKAGE-3 PLASTIC PACKAGE-3 PLASTIC PACKAGE-3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 10 A 10 A 10 A
集电极-发射极最大电压 60 V 60 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 150 200
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 30 W 30 W 30 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 140 MHz 140 MHz 140 MHz
Base Number Matches 1 1 1

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