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DDTD113ZC-13

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小72KB,共3页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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DDTD113ZC-13概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

DDTD113ZC-13规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Diodes
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 10
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)56
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)235
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
无线通信发展趋势part2
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