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BZG05C6V8

产品描述Zener Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小90KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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BZG05C6V8概述

Zener Diode,

BZG05C6V8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码R-PDSO-C2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.25 W
参考标准TS 16949
标称参考电压6.8 V
最大反向电流1 µA
反向测试电压4 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5.88%
工作测试电流35 mA

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TH97/10561QM
TW00/17276EM
IATF 0060636
SGS TH07/1033
BZG05C Series
ZENER DIODES
SMA
* Glass passivated junction
* High reliability
* Voltage range 3.3 V to 100 V
* Low leakage current
* Pb / RoHS Free
1.6
±
0.25
2.6
±
0.15
2.3
±
0.2
MECHANICAL DATA :
* Case : SMA Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
* Weight : 0.060 gram (Approximately)
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified
Parameter
Power dissipation
Condition
R
thJA
< 30 K/W, T
amb
= 60 °C
R
thJA
< 100 K/W, T
amb
= 25 °C
5.3
±
0.35
1.6
±
0.25
4.2
±
0.25
FEATURES :
1.3
±
0.2
Symbol
P
diss
P
diss
P
ZSM
V
F
T
j
T
stg
R
thJL
VALUE
3
1.25
60
1.2
150
-65 to +150
30
Unit
W
W
W
V
°C
°C
K/W
Non repetitive peak surge power
dissipation
Forward voltage
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Thermal resistance from junction to lead
tp = 100 µs; square pulse;
Tj = 25°C prior to surge
I
F
= 0.2 A
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