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2SA1925

产品描述High-Voltage Switching Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小168KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SA1925概述

High-Voltage Switching Applications

2SA1925规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)140
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)1.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)35 MHz
VCEsat-Max1 V
Base Number Matches1

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2SA1925
TOSHIBA Transistor
Silicon PNP Triple Diffused Type
2SA1925
High-Voltage Switching Applications
Unit: mm
High breakdown voltage: V
CEO
=
−400
V
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
DC
Pulse
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
stg
Rating
−400
−400
−7
−0.5
−1
−0.25
1.3
150
−55
to 150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-8M1A
Note 1: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of
high temperature/current/voltage and the significant change in
Weight: 0.55 g (typ.)
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are
within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
1
2010-03-09

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2SA1925 2SA1925_10
描述 High-Voltage Switching Applications High-Voltage Switching Applications
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本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:35 编辑 呵呵。。。给作者已经赚过了,就拿出来共享一下吧,不要怪我哦!:) 6143 ...
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