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2SA1893_06

产品描述Strobe Flash Applications Audio Power Amplifier Applications
文件大小139KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SA1893_06概述

Strobe Flash Applications Audio Power Amplifier Applications

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2SA1893
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
2SA1893
Strobe Flash Applications
Audio Power Amplifier Applications
Unit: mm
h
FE(1)
= 100 to 320 (V
CE
=
−2
V, I
C
=
−0.5
A)
h
FE(2)
= 70 (min) (V
CE
=
−2
V, I
C
=
−4
A)
Low saturation voltage: V
CE (sat)
=
−1.0
V (max)
(I
C
=
−4
V, I
B
=
−0.1
A)
High-power dissipation: P
C
= 1.3 W
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
DC
Collector current
Pulsed
(Note 1)
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
stg
Rating
−35
−20
−8
−5
−8
−0.5
1.3
150
−55
to 150
A
Unit
V
V
V
JEDEC
JEITA
2-8M1A
A
W
°C
°C
TOSHIBA
Weight: 0.55 g (typ.)
Note 1: Conditions: Pulse width = 10 ms (max), duty cycle = 30% (max)
Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute
maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
1
2006-11-09

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