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2SA1887

产品描述High-Current Switching Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小147KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SA1887概述

High-Current Switching Applications

2SA1887规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SC-67
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值25 W
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)45 MHz
VCEsat-Max0.4 V
Base Number Matches1

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2SA1887
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
2SA1887
High-Current Switching Applications
Unit: mm
Low collector saturation voltage:
V
CE (sat)
=
−0.4
V (max)
at I
C
=
−5
A
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Ta = 25°C
Tc = 25°C
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
stg
Rating
−80
−50
−7
−10
-1
2.0
25
150
−55
to 150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
SC-67
TOSHIBA
2-10R1A
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
Weight: 1.7 g (typ.)
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
1
2009-09-30

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描述 High-Current Switching Applications High-Current Switching Applications
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