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2SA1621

产品描述Audio Power Amplifier Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小132KB,共3页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SA1621概述

Audio Power Amplifier Applications

2SA1621规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)35
JEDEC-95代码TO-236
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)120 MHz
VCEsat-Max0.7 V
Base Number Matches1

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2SA1621
TOSHIBA Transistor
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
2SA1621
Audio Power Amplifier Applications
High h
FE
: h
FE
= 100~320
Complementary to 2SC4210
Unit: mm
Absolute Maximum Ratings
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
stg
Rating
−35
−30
−5
−800
−160
200
150
−55~150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the
absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate,
etc).
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
TO-236MOD
SC-59
2-3F1A
Weight: 0.012 g (typ.)
Electrical Characteristics
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter breakdown voltage
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
(BR) CEO
h
FE (1)
DC current gain
(Note)
h
FE (2)
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
V
CE (sat)
V
BE
f
T
C
ob
Test Condition
V
CB
= −35
V, I
E
=
0
V
EB
= −5
V, I
C
=
0
I
C
= −10
mA, I
B
=
0
V
CE
= −1
V, I
C
= −100
mA
V
CE
= −1
V, I
C
= −700
mA
I
C
= −500
mA, I
B
= −20
mA
V
CE
= −1
V, I
C
= −10
mA
V
CE
= −5
V, I
C
= −10
mA
V
CB
= −10
V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
Min
−30
100
35
−0.5
Typ.
120
19
Max
−0.1
−0.1
320
−0.7
−0.8
V
V
MHz
pF
Unit
μA
μA
V
Note: h
FE (1)
classification O: 100~200, Y: 160~320
Marking
1
2007-11-01

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描述 Audio Power Amplifier Applications Audio Power Amplifier Applications
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