Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92S, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Fairchild |
零件包装代码 | TO-92S |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.7 A |
集电极-发射极最大电压 | 25 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 70 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.7 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 160 MHz |
KSB810OBU | KSB810YBU | KSB810OTA | KSB810G | |
---|---|---|---|---|
描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92S, 3 PIN | Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92S, 3 PIN | Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92S, 3 PIN | Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92S, 3 PIN |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 符合 | 不符合 |
厂商名称 | Fairchild | Fairchild | Fairchild | Fairchild |
零件包装代码 | TO-92S | TO-92S | TO-92S | TO-92S |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数 | 3 | 3 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.7 A | 0.7 A | 0.7 A | 0.7 A |
集电极-发射极最大电压 | 25 V | 25 V | 25 V | 25 V |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 70 | 120 | 70 | 200 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSIP-T3 | R-PSIP-T3 | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e3 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
极性/信道类型 | PNP | PNP | PNP | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.7 W | 0.7 W | 0.7 W | 0.7 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Matte Tin (Sn) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 160 MHz | 160 MHz | 160 MHz | 160 MHz |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved