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BD175

产品描述Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小80KB,共2页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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BD175概述

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin

BD175规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)15
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度140 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)30 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)3 MHz
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