BC182LBD27Z,BC182LBD27Z pdf中文资料,BC182LBD27Z引脚图,BC182LBD27Z电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BC182LBD27Z

BC182LBD27Z: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小27KB，共4页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/; 标准

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BC182LBD27Z概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

BC182LBD27Z规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Fairchild
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	80
JEDEC-95代码	TO-92
JESD-30 代码	O-PBCY-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	150 MHz

BC182LBD27Z相似产品对比

	BC182LBD27Z	BC182LBD74Z	BC182LBD26Z	BC182LBD75Z	BC182LBJ18Z	BC182LBJ05Z
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, 3 PIN
厂商名称	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code	compliant	unknown	unknown	compliant	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	80	80	80	80	80	80
JESD-30 代码	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	150 MHz	150 MHz	150 MHz	150 MHz	150 MHz	150 MHz
JEDEC-95代码	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92	-	-

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