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IRFF130

产品描述8 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小11KB,共1页
制造商SEME-LAB
官网地址http://www.semelab.co.uk
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IRFF130概述

8 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF

8 A, 100 V, 0.18 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-205AF

IRFF130规格参数

参数名称属性值
端子数量3
最小击穿电压100 V
状态TRANSFERRED
包装形状
包装尺寸圆柱形的
端子形式线
端子涂层锡 铅
端子位置BOTTOM
包装材料金属
结构单一的 WITH BUILT-IN 二极管
壳体连接DRAIN
元件数量1
晶体管应用开关
晶体管元件材料
通道类型N沟道
场效应晶体管技术金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型通用电源
最大漏电流8 A
额定雪崩能量69 mJ
最大漏极导通电阻0.1800 ohm
最大漏电流脉冲32 A

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IRFF330
Dimensions in mm (inches).
8.64 (0.34)
9.40 (0.37)
8.01 (0.315)
9.01 (0.355)
4.06 (0.16)
4.57 (0.18)
N-Channel MOSFET
in a
Hermetically sealed TO39
Metal Package.
12.70
(0.500)
min.
0.89 max.
(0.035)
0.41 (0.016)
0.53 (0.021)
dia.
N-Channel MOSFET.
5.08 (0.200)
typ.
V
DSS
= 400V
2.54
(0.100)
2
1
0.74 (0.029)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.53 (0.021)
I
D
= 3A
R
DS(ON)
= 1Ω
All Semelab hermetically sealed products can be
processed in accordance with the requirements
of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and
JANS specifications.
3
45°
TO39 (TO205AF)
PINOUTS
1 – Source
2 – Gate
3 - Drain
Parameter
V
DSS
I
D
P
D
R
DS(ON)
C
ISS
Q
g
t
td(on)
t
tr
t
td(off)
t
f
Drain – Source Breakdown Voltage
Continuous Drain Current
Power Dissipation
Static Drain – Source On–State Resistance
Input Capacitance
Total Gate Charge
Turn–On Delay Time
Rise Time
Turn–Off Delay Time
Fall Time
Min.
Typ.
Max.
400
3
25
1
Units
V
A
W
pF
nC
ns
ns
ns
ns
620
33
30
35
55
35
This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact
sales@semelab.co.uk.
Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed
to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Generated
11-Oct-02

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描述 8 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF 3.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF

 
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