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GS832036GT-225T

产品描述Cache SRAM, 1MX36, 7ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共25页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
标准  
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GS832036GT-225T概述

Cache SRAM, 1MX36, 7ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100

GS832036GT-225T规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码QFP
包装说明LQFP, QFP100,.63X.87
针数100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间7 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY
最大时钟频率 (fCLK)225 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e3
长度20 mm
内存密度37748736 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量100
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.5/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.06 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层PURE MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
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