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2SC5060TV3

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小118KB,共2页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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2SC5060TV3概述

Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

2SC5060TV3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)1000
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

2SC5060TV3相似产品对比

2SC5060TV3 2SC5060TV4 2SC5060TV6
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 2 A 2 A 2 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 80 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 1000 1000 1000
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T2 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e1 e1 e1
元件数量 1 1 1
端子数量 3 2 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260
极性/信道类型 NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 10
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1
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