60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5
参数名称 | 属性值 |
最大集电极电流 | 1 A |
最大集电极发射极电压 | 60 V |
端子数量 | 3 |
最大关断时间 | 400 ns |
最大导通时间 | 100 ns |
加工封装描述 | TO-5, 3 PIN |
状态 | Contact Mfr |
结构 | SINGLE |
最小直流放大倍数 | 100 |
jedec_95_code | TO-5 |
jesd_30_code | O-MBCY-W3 |
元件数量 | 1 |
最大工作温度 | 175 Cel |
包装材料 | METAL |
包装形状 | ROUND |
包装尺寸 | CYLINDRICAL |
larity_channel_type | PNP |
wer_dissipation_max__abs_ | 0.8000 W |
qualification_status | COMMERCIAL |
sub_category | Other Transistors |
表面贴装 | NO |
端子涂层 | NOT SPECIFIED |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
额定交叉频率 | 100 MHz |
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