2SB1198KT146PQ概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

2SB1198KT146PQ规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.5 A
集电极-发射极最大电压	80 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	82
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e1
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	180 MHz
VCEsat-Max	0.5 V
Base Number Matches	1

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2SB1198KT146PQ相似产品对比

	2SB1198KT146PQ	2SB1198KT146/QR	2SB1198KT146QR	2SB1198KT146/PR	2SB1198KT146/PQ	2SB1198KT146P	2SB1198KT146PR	2SB1198KT146/P
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli
最大集电极电流 (IC)	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A
集电极-发射极最大电压	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	82	120	120	82	82	82	82	82
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1	e1	e1	e1	e1
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260	260
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子面层	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10	10	10	10	10	10	10	10
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	180 MHz	180 MHz	180 MHz	180 MHz	180 MHz	180 MHz	180 MHz	180 MHz
VCEsat-Max	0.5 V	0.5 V	0.5 V	0.5 V	0.5 V	0.5 V	0.5 V	0.5 V
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1
晶体管应用	-	SWITCHING	-	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-	SWITCHING

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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