2SB1132T100/PR概述

1A, 32V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

2SB1132T100/PR规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
Reach Compliance Code	compli
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	1 A
集电极-发射极最大电压	32 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	82
JESD-30 代码	R-PSSO-F3
JESD-609代码	e2
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN COPPER
端子形式	FLAT
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	10
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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2SB1132T100/PR相似产品对比

	2SB1132T100/PR	2SB1132T100/PQ	2SB1132T100PR	2SB1132T100PQ	2SB1132T100/QR	2SB1132T100QR
描述	1A, 32V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR	1A, 32V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	1A, 32V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A
集电极-发射极最大电压	32 V	32 V	32 V	32 V	32 V	32 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	82	82	82	82	120	120
JESD-30 代码	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3
JESD-609代码	e2	e2	e2	e2	e2	e2
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子面层	TIN COPPER	TIN COPPER	TIN COPPER	TIN COPPER	TIN COPPER	TIN COPPER
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	10	10	10	10	10	10
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	AMPLIFIER	AMPLIFIER	SWITCHING	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1
基于收集器的最大容量	-	-	30 pF	30 pF	30 pF	30 pF
最高工作温度	-	-	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
标称过渡频率 (fT)	-	-	150 MHz	150 MHz	150 MHz	150 MHz
VCEsat-Max	-	-	0.5 V	0.5 V	0.5 V	0.5 V

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